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体硅互补型金属-氧化物半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁，所以电路防闩锁研究意义重大。本文通过求解寄生晶体管中少数载流子连续性方程的方法，分析了辐射光电流在寄生4层可控硅结构中的持续时间，提出了集成电路自洽防闩锁的条件，并得到了自洽防闩锁条件随γ射线剂量率的变化关系。对4层可控硅等效电路和体硅集成电路分别进行了瞬时辐射实验，实验结果与理论分析结果基本一致，验证了理论分析的正确性。