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本文对一次烧成工艺和二次烧成法制成的n-型SrTiO<sub>3</sub>半导瓷的非线性V-Ⅰ关系作了定性描述。着重讨论了V-Ⅰ特性曲线3个区的导电机理。根据烧成工艺,建立了改进的双层晶界势垒模型。在此基础上,对n-型SrTiO<sub>3</sub>半导瓷非线性V-Ⅰ特性曲线上3个特征区的电压电流关系作了定量推导和计算。对计算结果与实验结论作了比较,给出不超过3％的最大误差。