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含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zkl_2009
【摘 要】
:
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器。我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合。利用LPE和MOCVD混合生
【作 者】
:
罗毅
文国鹏
【机 构】
:
清华大学电子工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年4期
【关键词】
:
DFB激光器
设计
增益耦合型
载流子注入光栅
【基金项目】
:
自然科学基金杰出青年基金,“863”计划
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本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器。我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合。利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率。
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