【摘 要】
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本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH) FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所 福建中科光芯光电科技有限公司
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本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH) FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130mW,光谱峰值波长在光通信C波段,芯片出光水平和垂直发散角分别为5°和15°,试验结果为进一步优化高线性激光器提供基础.
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