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采用非平衡态分子动力学方法模拟了硅纳米线的热传导性能，并对其主要影响因素作了分析．模拟结果表明：在相同的温度区间（800～1500K）内截面形状为正方形的纳米线的导热系数要比体态硅小2个量级，且随着温度的上升，导热系数随之下降；当模拟温度固定时，导热系数随着纳米线长度的增加而增加，并趋于一个收敛值；同时当纳米线的截面面积增加时，导热系数也随之增加；当纳米线表面存在缺陷时，其热传导系数小于无缺陷纳米线的值．