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利用Sol-Gel及摸板技术定向合成了具有量子限域特征的ZnFe2O4纳米半导体催化剂（Q-ZnFe2O4）。分别采用XRD，DRS，FS，In situ EPR及光催化等手段对合成的纳米半导体的结构，表面化学物理特性，表面界面电荷转移特性及选择催化特性进行了深入研究。研究结果表明：采用定向合成技术可以在室温下合成具有尖晶石结构的Q-ZnFe2O4纳米晶半导体。DRS及FS结果证明样品呈现显著的量子限域效应及表面界面效应。原位辐射顺磁共振光谱结果表明：光生的电子和空穴可以分别在体相及表相Fe^3＋位置被同