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本实验采用会聚束电子衍射（CBED）方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化。结果表明：在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢。有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小。相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和。