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采用热蒸发ZnO粉末法，以金膜为催化剂，在两片表面分别朝上和朝下的Si（100）基片上生长ZnO纳米线（样品分别标为1^#和2^#）。X射线衍射（XRD）图谱上只存在ZnO的（002）衍射峰，说明ZnO纳米线沿（001）择优取向。通过扫描电子显微镜（SEM）表征发现，ZnO纳米线整齐排列在Si基片上，直径在100m左右，平均长度为4μm。通过分析得出，两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的：1^＃样品，在基片表面上先生长ZnO薄膜，再在薄膜上生长ZnO纳米线；2^#样品，ZnO纳米线直接外延生长