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对利用光学方法在掺铁铌酸锂晶体中制作一维光折变光子晶体时的正负折射率进行了详细的理论分析和实验研究。当采用成像法制作一维光折变光子晶体时，通过控制成像掩模条纹的占空比，晶体中折射率降低的基础上出现了升高区域，即晶体内正、负折射率同时存在。实验结果显示，这种折射率分布与最佳占空比患息相关，并提高了一维光折变光子晶体折射率的对比度。