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介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）和本征砷化镓（ＧａＡｓ）光电导探测器，研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照改性注量和施加偏压的变化关系。
砷化镓探测器的镉上中子辐照改性
【摘 要】
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介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）和本征砷化镓（ＧａＡｓ）光电导探测器，研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照改性注量和施加偏压的变化关系。
【机 构】
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西南核物理与化学研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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1994年3期
【基金项目】
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中国工程物理研究院科学基金
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