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磁阻式随机存取存储器（MRAM）已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）、闪存（FLASH）等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻（TMR）效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况。