SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的离子偏析

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利用透射电子显微镜及其电子衍射和X射线能谱分析,高分辨电子显微镜及其微区电子衍射,以及离子探针,证实了低温一次烧结的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料其晶界绝缘层的形成是由于受主性杂质Li_2O的晶界偏析造成的,并且进一步分析了引起离子偏析的条件和机理。发现只有在施主掺杂和还原气氛烧结的情况下才存在Li_2O的晶界偏析现象。这是因为由施主杂质进入晶格和还原烧结气氛而增强的晶格氧挥发是引起Li_2O晶界偏析的根本原因。
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