【摘 要】
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文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系 湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430074,湖北武汉430
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文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。
Based on the analysis of short channel effect and DIBL effect, a device physical model of MOSFET threshold voltage for high-k gate dielectric is established by introducing the correlation factor of two coupling effects. The effects of various factors on the threshold voltage drift were simulated and the best k-value range was obtained.
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