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本文对在InSb及GaAs衬底上用分子束外延生长的InSb分别以Be和Si作p型和n型的掺杂作了研究。当衬底温度超过340℃时,利用二次离子质谱技术,在InSb衬底上生长时,发现Be向表面有反常迁移现象。而在GaAs衬底上生长的掺Be的InSb薄膜中未发现这种迁移。在掺Si的InSb膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。InSb中Be的掺杂效率约是GaAs中的一半,若想使Si在InSb中的掺杂效率达到其在GaAs中的掺杂效率,在整个生长过程中,需将衬底温度维持在<340℃。利用低温生长技术,可生长出呈现二维电子