【摘 要】
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随着绝缘栅双极性晶体管（IGBT）使用的电压等级越来越高,关于绝缘栅双极性晶体管（IGBT）开关暂态的研究显得尤为重要。在机理模型的基础上能细划分为MOSFET与BJT,即金属氧化层半导
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随着绝缘栅双极性晶体管（IGBT）使用的电压等级越来越高,关于绝缘栅双极性晶体管（IGBT）开关暂态的研究显得尤为重要。在机理模型的基础上能细划分为MOSFET与BJT,即金属氧化层半导体场效晶体管与双极结型晶体管两个部分,对其进行建模,列举出模型参数提取方法。该模型可在Matlab中实现,把IGBT作为案例列出模型参数数值,分析比较高压开通暂态、关闭暂态与开关损耗仿真结果,以此检验机理模型对高压IGBT是否适用。
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