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采用化学共沉淀法制备Zn0.3Fe2.7O4粉体,压制成高密度靶材,用射频磁控溅射法制备成膜。使用XRD、VSM、磁-电综合测试系统研究不同退火温度对样品磁性能及磁电阻的影响。结果表明:退火温度影响薄膜的晶化程度,600℃退火样品可得到较高的饱和磁化强度;磁电阻随着退火温度的升高大致呈先增加后减小的趋势;常温测得300℃退火样品,磁电阻达到最大值2.93%。