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将聚喹啉 ( PQ)、十八胺 ( OA)和含稀土元素的 1∶ 1 1钨系双系列杂多阴离子 RE( PW1 1 O39) 1 1 - 2 ( RE =Ce ,Eu ,Gd )通过 LB技术掺杂 ,成功地制备了三种 PQ/ OA/稀土杂多阴离子杂化 LB膜 ,通过π-A曲线、荧光、吸收光谱和原子力显微镜等手段对 PQ/ OA/稀土杂多阴离子杂化 LB膜的成膜方式、性能、结构及形貌进行了表征 ;扫描隧道显微镜研究表明 ,将稀土杂多化合物掺杂到聚喹啉中可使聚喹啉的导电性明显增强