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采用标准的0．13μmCMOS工艺实现了0．5V电源电压，3GHzLC压控振荡器。为了适应低电压工作，并实现低相位噪声，该压控振荡器采用了NMOS差分对的电压偏置振荡器结构，去除尾电流，以尾电感代替，采用感性压控端，增加升压电路结构使变容管的一端升压，这样控制电压变化范围得到扩展。测试结果显示，当电源电压为0．5V，振荡频率为3．126GHz时，在相位噪声为-113．83dBc／Hz@1MHz，调谐范围为12％，核心电路功耗仅1．765mw，该振荡器的归一化品质因数可达-186．2dB，芯片面积为0．96