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为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响，提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅，并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数Das ＝25.4 cm 2/s，低于自旋扩散系数Ds ＝113.0 cm 2/s，表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显著影响。