【摘 要】
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DiodesIncorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电
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DiodesIncorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为-25 V的P通道器件,体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度,较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。
Diodes Incorporated offers a range of high-efficiency N-channel and P-channel MOSFETs in a thin DFN2020-6 package. DFM2020H4 package DMP2039UFDE4, only 0.4 mm from the board height, footprint only four square millimeters, is a rated voltage of -25 V P-channel device, the volume of 50% thinner than similar devices. Another MOSFET in the same series, packaged in the DFN2020E package, has a 0.5mm off-board height, which is 20% thinner than other MOSFETs, which typically have a board height of 0.6mm.
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