单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅱ、宽带单刀单掷和单刀双掷开关电路

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gideonkim

【摘要】

：

本文介绍了单片集成GaAs MESFET微波开关的设计方法和制作工艺.利用空气桥和通孔接地等工艺技术,研制成的调配型宽带单刀单掷开关在0.01～7GHz内,插损为2～3.5dB,隔离度不小于32d

【作者】

：

冯珅王福臣过常宁

【机构】

：

南京固体器件研究所; 南京固体器件研究所;

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1986年02期

【关键词】

：

开通时间单刀双掷开关 MESFET 微波开关单片集成 GaAs MESFET

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本文介绍了单片集成GaAs MESFET微波开关的设计方法和制作工艺.利用空气桥和通孔接地等工艺技术,研制成的调配型宽带单刀单掷开关在0.01～7GHz内,插损为2～3.5dB,隔离度不小于32dB;分布型宽带单刀双掷开关在4.5～7GHz内,插损为1～2dB,隔离度不小于21dB,5GHz下的最大功率容量为3瓦.实验也证实电路的开通时间小于0.6ns.

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