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研究了ＳｉＣ晶须增６０６１铝基复合材料及基体合金在１７０℃和１９０℃时效时的析出行为，结果表明：复合材料达到峰时效的时间均较基体合金有所提前。ＴＥＭ观察发现：复合材料基体中的位错密度明显高于相应铝合金；达到峰时效时前者析出相的数量明显少于后者，而前者析出相的尺寸却明显大于后者，分析了复合材料基体中高密度位错析出相形核和长大的影响。