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以三倍体枇杷成熟叶片为试材,经低温处理后采用电导法测定质膜相对电导率,然后利用Logistic方程拟合拐点得到单株半致死温度,结果表明：不同低温处理后,叶片组织的相对电导率与处理温度呈负相关,整体变化为典型S形单峰曲线;在-5℃到-15℃之间,质膜伤害率随温度下降而急剧升高;单株半致死温度在-1.22℃到-10.47℃之间.单株抗寒力＂常白1号Q34＂最强,＂东湖早＂最弱.