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在有效质量近似下，采用无限深势阱，理论计算nc-Si／SiO2球形量子点导带中的电子束缚态，并利用紧束缚密度矩阵理论，推导出共振三阶极化率的表达式．通过数值模拟，分析讨论nc-Si／SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系．结果表明，在强受限中，三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系．随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小，三阶极化率都有不同程度的增强．