【摘 要】
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采用传统电子陶瓷工艺制备了ZnO压敏电阻陶瓷,研究了Bi2O3的掺杂浓度对压敏陶瓷的显微结构和电学影响。利用多种表征手段对样品的性能进行分析。研究结果表明:压敏陶瓷的主晶
【机 构】
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陕西国防工业职业技术学院,陕西科技大学文理学院
【基金项目】
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陕西省教育厅2018年度专项科学研究计划资助项目(18JK0068)
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采用传统电子陶瓷工艺制备了ZnO压敏电阻陶瓷,研究了Bi2O3的掺杂浓度对压敏陶瓷的显微结构和电学影响。利用多种表征手段对样品的性能进行分析。研究结果表明:压敏陶瓷的主晶相为铅锌矿型结构;随着Bi2O3浓度增大,压敏陶瓷的主要衍射峰逐渐向低角度方向偏移,同时出现明显的晶界相,且压敏陶瓷的平均晶粒尺寸呈先增大后减小趋势;当Bi2O3浓度为2.5mol%时,压敏陶瓷具有均匀的显微结构和较好的电学参数,此时平均晶粒尺寸D为225nm,击穿场强E1mA达到最小值4600V/cm,非线性系数α达到最大值55.8,电
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