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GaAs基pHEMT工艺适合于制作10 Gbit/s速率的高速前置放大器电路.完成了工作于10 Gbit/s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽.模拟工作带宽达到9.0 GHz,跨阻增益达到58 dBΩ.电路采用0.2 μm GaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作.对制作的电路进行了电测试,可工作于10 Gbit/s的速率.