论文部分内容阅读
本文对 P~+-P-N-N~+型半导体器件在正向导电情况下器件各区电势,导电载流子输运作了分析,研讨了各区能量转换效应。得出正向导电时的结压降损耗是以载流子复合方式损耗在 P、N、P~+、N~+等中性区,而在 P~+-P、P-N、N—N~+等结区发生"致冷效应",因而电功率损耗公式 P=IV,在半导体 P—N结型器件中的某些微区内作为发热损耗计算式是不适用的。此时还必需考虑电子所处能级的变化。