【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2007年第8期报道,日本产业技术综合研究所在Si基板上制作了将电压施加于间隙约为10nm的Au电极时,产生金属原子物质转移的阻抗开关。这种开关效
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据《Semiconductor FPD World》2007年第8期报道,日本产业技术综合研究所在Si基板上制作了将电压施加于间隙约为10nm的Au电极时,产生金属原子物质转移的阻抗开关。这种开关效果只出现在间隙尺寸在10nm以下的特有的“nano scale”现象。这种开关的阻抗变化on/off比最大达到107,
According to “Semiconductor FPD World” 2007 the 8th report, the Japan Institute of Industrial Technology produced on the Si substrate voltage is applied to the Au electrode gap of about 10nm, the metal atoms generated by the transfer of the impedance switch. This switch effect appears only in the gap size of 10nm below the unique “nano scale” phenomenon. This switch impedance change on / off ratio up to 107,
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