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生长了铁掺杂（质量分数分别为25×10^-6，50×10^-6，100×10^-6以及200×10^-6）的近化学配比铌酸锂（SLN）晶体．用中心波长为532nm的半导体激光器对晶体进行了二波耦合实验，测得了二波耦合的相应时间和有效增益系数随掺杂浓度、入射光总光强、写入光光强比以及人射光偏振方向的变化情况．实验结果表明，掺杂浓度越高，总入射光强越大，入射光光强比越小，都能导致响应时间减小，并且e光的响应时间要小于o光的响应时间；入射光光强比越大，有效增益系数越大，e