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文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线，制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管，并研究了其电输运特性。结果表明，相对未掺杂的In2O3纳米线，In2O3：Cd纳米线的电导率有1-2个数量级变化，载流子迁移率高达58． cm^2／（V·s），载流子浓度高达3．7×10^18cm^-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。