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期刊论文
Bi—CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究
Bi—CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究
来源 :微处理机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yyaizy
【摘 要】
:
分析了一种以Bi-CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析、电路模拟及工艺验证,证明了这种模拟开
【作 者】
:
袁凯
李志辉
高松
陈东石
王东梅
田松
【机 构】
:
东北微电子研究所
【出 处】
:
微处理机
【发表日期】
:
2002年3期
【关键词】
:
Bi-CMOS工艺
高精度单向模拟开关
A/D转换器
多元逻辑
high precision
analog switch
Bi-CMOS
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分析了一种以Bi-CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化.通过对开关特性的理论分析、电路模拟及工艺验证,证明了这种模拟开关所具有的高速可控性和传输信号的精度均优于双极工艺所实现的单向隔离模拟开关.
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