低温退火对InAsSb材料结构特性的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gameryufei
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用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb/InSb多量子阱结构,并对其进行250℃、8h的退火。采用X射线光电子能谱(XPS),通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析,研究退火对In、As、Sb3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响。结果表明,长时间低温退火增强了表面氧化,促使As和sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散。
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