CMOS成像传感器的下一步

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【摘要】

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用互补金属氧化物半导体(CMOS)的制造方法来生产成像传感器列阵芯片,这种可能性在20世纪80年代末得到了验证.从那时起,以DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单

【作者】

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顾聚兴

【出处】

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红外

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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用互补金属氧化物半导体(CMOS)的制造方法来生产成像传感器列阵芯片,这种可能性在20世纪80年代末得到了验证.从那时起,以DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单片上一直是CMOS传感器设计人员梦寐以求的目标.然而,在此期间,CCD器件的制造商不断地减小CCD传感器列阵的尺寸并降低其价格以使CMOS传感器在市场上站不住脚.

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