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<正> 1 离子束蚀刻实验 1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。
离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究
【摘 要】
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<正> 1 离子束蚀刻实验 1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别
【机 构】
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陕西师范大学物理系,陕西省卫生防疫站
【出 处】
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陕西师大学报(自然科学版)
【发表日期】
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1991年1期
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