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通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》，定量研究了优化设计GAT的材料参数和结构参数的关系。
GAT的优化设计分析
【摘 要】
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通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
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