单片集成In_(0.53)Ga_(0.47)As-PIN/InP-MISFET

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日本 NEC 光电研究实验室最近报导,他们把 In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN 光电二极管和 InPMISFET 单片集成在掺 Fe 的半绝缘 InP 衬底上。在100Mbit/s NRZ 伪随机信号的情况下测量了 Recently, NEC Research Laboratories in Japan reported that they monolithically integrated In_ (0.53) Ga_ (0.47) As PIN photodiodes and InPMISFETs on Fe-doped semi-insulating InP substrates. Measured with a 100 Mbit / s NRZ pseudo-random signal
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