不同碳硅比稻壳对原位制备多孔Si3N4陶瓷的影响

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以不同C/Si O2的碳化稻壳为硅源、碳源和成孔剂,添加α-Si3N4和少量烧结助剂,利用碳热还原氮化法原位制备多孔氮化硅陶瓷,研究了不同C/Si O2和烧结温度对多孔陶瓷相组成、显气孔率、抗弯强度和微观结构等性能的影响。结果表明:当选用碳化稻壳C/Si O2(质量比)为0.5和0.7时,在1450-1500℃的试样中有α-Si3N4和β-Si3N4,在1550℃的试样中只有β-Si3N4。C/Si O2为0.7、1450-1550℃下制备出多孔氮化硅陶瓷,其气孔率为52.53%-38.48%,抗弯强度为
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