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应用Ｋ·Ｐ微扰法计算能带的基本方法，在考虑偏振随波矢变化的情况下，分别计算了无应变、１％压缩应变和１％伸张应变下４．０ｎｍ阱宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱的增益矩阵元，计算表明，增益矩阵元的偏振因子随波失的变化而发生很大的变化。
K·P方法计算InGaAs／InP应变量子阱的增益矩阵元
【摘 要】
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应用Ｋ·Ｐ微扰法计算能带的基本方法，在考虑偏振随波矢变化的情况下，分别计算了无应变、１％压缩应变和１％伸张应变下４．０ｎｍ阱宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱的增益矩阵元，计算表明，增益矩阵元的偏振因子随波失的变
【机 构】
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厦门大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1998年4期
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