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从AlGaN／GaN沟道阱电子状态出发，深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒，来抬高势垒和增大势垒宽度，强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构，从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了