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本文采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型及无限深势阱等效法对方势阱结构的子带能级及其Ｓｔａｒｋ效应进行了理论推导和数值计算，并与其它近似法作了比较，实验上，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ方阱结构的子带吸收及其Ｓｔａｒｋ效应分析了实验结构。
GaAs/AlGaAs MQW 子带吸收及其 Stark 效应的理论与实验研究
【摘 要】
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本文采用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型及无限深势阱等效法对方势阱结构的子带能级及其Ｓｔａｒｋ效应进行了理论推导和数值计算，并与其它近似法作了比较，实验上，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ方阱结构的子带吸收及其Ｓｔａｒｋ效应分析了实验结构。
【机 构】
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中国科学院物理研究所,清华大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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