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用磁控溅射工艺，在柔性衬底上，在不同直流偏压奈件下，制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜．最佳直流负偏压为40V，此时制备的薄膜，其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89．3cm^2／(V·s)，薄膜的电阻率有最小值为6．3×10^-4Ω·cm，在可见光范围内相对透过率为80％左右。X射线衍射谱表明：薄膜为多晶纤锌矿结构，垂直于衬底的c铀具有(222)方向的择优取向，最大晶粒尺寸为55nm。并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系．