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几十年来,半导体制造商年复一年地缩小IC的晶体管尺寸,以达到摩尔定律所描述的不断增加的速度和性能,亦即约18个月芯片性能要翻一番.摩尔定律只有在电路的RC延时与信号传输延时相比可以忽略时成立.然而,对于亚微米来说,RC延时变为主要因素.曾经寄希望于改用铜金属化、低K介电质和化学机械抛光(CMP)来降低RC延时,以及缩小尺寸来达到由摩尔定律预期的未来十年的性能改进.