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退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yolanda0104

【摘 要】

：

以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜铝

【作 者】

：

王成龙 范多旺 孙硕 张福甲 

【机 构】

：

国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心,兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州大学物理科学与技术学院

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年8期

【关键词】

：

a-Si薄膜 退火 晶化 AIC a-Si film  annealing crystallization  AIC 

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以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜铝诱导晶化（AIC）过程的影响.XRD实验结果表明：a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-Si薄膜.Raman光谱实验结果表明：在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的S

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