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西德通用电气德律风根公司最近制作了一种新型的扩散条型半导体激光器——V 型槽激光器。器件结构如图1所示。与普通的双异质结激光器相比,V 型槽激光器在 P—GaAlAs 层上多一层 n—GaAIAs 层。顶层为 n—GaAs。各层均在(100)GaAs 衬底上用液相处延方法生长而成。然后在(100)面上沿一定方向腐蚀顶层而得 V 型槽。用 Zn 扩散就形成了通过顶层和 n 型 GaAIAs 层的 P 型电