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对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法.
介质隔离横向高压p—i—n器件的击穿特性
【摘 要】
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对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法.
【机 构】
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上海大学理学院
【出 处】
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上海大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年2期
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