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利用蒸发和溅射工艺，研究了CdSe-TFT的制作，特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究。实验中观察到CdSe掺In后，TFT的I－V特性明显得到改善，得到了性能稳定的TFT器件，利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释。
掺杂对CdSe—TFT稳定性影响的研究
【摘 要】
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利用蒸发和溅射工艺，研究了CdSe-TFT的制作，特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究。实验中观察到CdSe掺In后，TFT的I－V特性明显得到改善，得到了性能稳定的TFT器件，利用半导体掺杂
【机 构】
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中国科学院,1
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2000年3期
【基金项目】
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国家“8 63”资助项目!( 71 5-0 0 3 -0 0 70 )
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