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日本三菱化学株式会社及富士电机控股公司、丰田中央研究所株式会社、京都大学、日本产业技术综合研究所组成的联合研究团队成功突破了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。
日本研发出在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术
【摘 要】
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日本三菱化学株式会社及富士电机控股公司、丰田中央研究所株式会社、京都大学、日本产业技术综合研究所组成的联合研究团队成功突破了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导
【机 构】
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科技部
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2017年5期
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