【摘 要】
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采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件。器件为面阵式结构,象元数目为32×32。对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3 V时
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,中国科学院研究生院
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采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件。器件为面阵式结构,象元数目为32×32。对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3 V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1μA/cm2,单点饱和输入光功率为1μW。测试瞬态响应,器件响应峰值上升沿为212 ps,半峰宽372 ps,对应响应频率大于1.65 GHz,具有很好的应用前景。
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