He-N2势能表面对散射截面的影响

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhang19890922

【摘要】

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从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较.计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64 meV),计算结果与M

【作者】

：

孙桂华蒋德琼冯一兵杨向东

【机构】

：

四川大学原子分子物理所,成都,610065张掖师范专科学校物理系,张掖,734000;四川师范大学物理系,成都,610066;四川大学原子分子物理所,成都,610065;

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

2000年1期

【关键词】

：

势能表面散射截面密耦方法

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从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较.计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64 meV),计算结果与M.Keil等的实验结果基本相符.研究结果表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响,为根据散射截面准确地确定He-N2体系的相互作用势能参数提供了一种新依据.

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