【摘 要】
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利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流
【机 构】
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云南大学光电信息材料研究所,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,
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利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
The capacitance-voltage characteristics and threshold voltage of Si-xGex channel p-MOSFET with different Ge components were investigated by two-dimensional numerical simulation. The calculated results show that the Ge group in the strained Si1-xGex channel layer The subthreshold current of the device increases obviously, the gate capacitance changes significantly when the device enters the inversion mode, and the change of the threshold voltage is basically linear with the Ge composition. By changing the length of the Si1-xGex channel and combining with the correlation Physical model, the hole mobility in a channel is inversely proportional to the total resistance on the channel length differential at low electric field.
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